銷售非接觸厚度電阻率測(cè)試儀
- 所在區(qū)域： 北京
- 價(jià)格范圍： 0
- 發(fā)布日期： 2014-09-18 02:33:47
- 有 效 期： 長(zhǎng)期有效
- 供應(yīng)數(shù)量： 20
- 北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司
- 聯(lián) 系 人： 包經(jīng)理
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
RTM660C無(wú)接觸式硅片厚度電阻率測(cè)試系統(tǒng)
RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強(qiáng)大的軟件控制，可以用多種方式進(jìn)行無(wú)接觸式測(cè)量，使得測(cè)試過(guò)程變得十分高效。系統(tǒng)采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)硅片，測(cè)試數(shù)據(jù)可即時(shí)顯示，并可對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測(cè)試結(jié)果精確且穩(wěn)定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產(chǎn)及質(zhì)檢等場(chǎng)所，友好的人機(jī)交互界面，使用相當(dāng)便捷。
技術(shù)參數(shù)
■ 硅片規(guī)格：
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測(cè)試功能
厚度：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)厚度
TTV：總厚度偏差
體電阻率：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)體電阻率
■ 測(cè)試指標(biāo)
厚度范圍：150～1000μm
測(cè)量誤差：≤±1.0μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
TTV范圍：0.00μm～200.00μm
測(cè)量誤差：≤±0.50μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測(cè)量誤差：≤±3%
重復(fù)性：≤1.5%
■ 設(shè)備尺寸/重量：470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 測(cè)試環(huán)境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機(jī)
RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強(qiáng)大的軟件控制，可以用多種方式進(jìn)行無(wú)接觸式測(cè)量，使得測(cè)試過(guò)程變得十分高效。系統(tǒng)采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)硅片，測(cè)試數(shù)據(jù)可即時(shí)顯示，并可對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測(cè)試結(jié)果精確且穩(wěn)定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產(chǎn)及質(zhì)檢等場(chǎng)所，友好的人機(jī)交互界面，使用相當(dāng)便捷。
技術(shù)參數(shù)
■ 硅片規(guī)格：
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測(cè)試功能
厚度：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)厚度
TTV：總厚度偏差
體電阻率：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)體電阻率
■ 測(cè)試指標(biāo)
厚度范圍：150～1000μm
測(cè)量誤差：≤±1.0μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
TTV范圍：0.00μm～200.00μm
測(cè)量誤差：≤±0.50μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測(cè)量誤差：≤±3%
重復(fù)性：≤1.5%
■ 設(shè)備尺寸/重量：470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 測(cè)試環(huán)境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機(jī)
