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太陽(yáng)能級(jí)硅少子壽命測(cè)試儀 功能特點(diǎn)：本設(shè)備是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶

母合金 半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素 產(chǎn)品特點(diǎn) 進(jìn)口12N電子極原生多晶硅，配摻高純度硼粉（7N）級(jí)。目前廣泛應(yīng)用在拉單晶上的為硅硼負(fù)三合金。 母合金摻雜

硅料檢測(cè)分選儀 該儀器專(zhuān)門(mén)為硅料分選而設(shè)計(jì)，可以快速準(zhǔn)確的測(cè)量PN型、重?fù)�、電阻率。�?duì)碎片料、米粒料、片料，塊料，頭尾料、堝底料、邊皮料均可測(cè)量。系統(tǒng)同時(shí)配備三探

單晶型號(hào)測(cè)試儀 單晶型號(hào)測(cè)試儀是快速鑒別硅晶材料的導(dǎo)電類(lèi)型“P”和“N”的測(cè)量?jī)x器，測(cè)量范圍寬，硅材料電阻率從0.01~199.9Ω*cm。 功能特點(diǎn) 儀器采用進(jìn)口16

硅芯電阻測(cè)試儀 硅芯電阻率測(cè)試儀是按照我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)（ASTM）推薦的材料驗(yàn)收檢測(cè)方法設(shè)計(jì)。它適合于測(cè)量橫截面面積均勻的圓型，

硅片電阻測(cè)試儀 硅片電阻測(cè)試儀是用來(lái)測(cè)量硅片、硅單晶、鍺單晶電阻率的測(cè)量?jī)x器。它由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱：主機(jī)）、測(cè)試架、四探針頭及專(zhuān)業(yè)測(cè)量軟件組成。 功能特點(diǎn)

少子壽命測(cè)試儀 XH-120是一款經(jīng)濟(jì)實(shí)用的硅晶片少子壽命測(cè)量?jī)x器，控制裝置既適用于研究也適用于生產(chǎn)。采用準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（QSSPC）測(cè)量方法測(cè)量，此方法是測(cè)量硅片，摻

電阻率厚度測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：進(jìn)口 功能特點(diǎn) 專(zhuān)為測(cè)量太陽(yáng)能硅片電阻率及厚度所設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單，一次測(cè)量，同時(shí)顯示電阻率及厚度值。利用電容及電感傳感

硼磷含量測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：進(jìn)口 功能特點(diǎn) 該測(cè)試儀可以準(zhǔn)確的測(cè)出硅料中硼、磷等多達(dá)70多種雜質(zhì)的含量。能夠進(jìn)行定性及定量分析，能實(shí)現(xiàn)一次進(jìn)

碳氧含量測(cè)試儀(延伸閱讀-硅晶體中碳氧含量的檢驗(yàn)原理及方法) 產(chǎn)品型號(hào)：進(jìn)口 此款硅料碳氧含量測(cè)試儀是我公司最新從國(guó)外引進(jìn)的設(shè)備。它結(jié)合了當(dāng)今最新的光學(xué)、電

RTM660C無(wú)接觸式硅片厚度電阻率測(cè)試系統(tǒng) RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強(qiáng)大的軟件控制，可以用多種方式進(jìn)行無(wú)接觸式測(cè)量，使得測(cè)試過(guò)程變得十分高效。系

電阻率厚度測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：進(jìn)口 Thesystemconsistsofthemeasuringhead,anelectronicracklinkedbyonestandardcablewith25-pinD-connectoraPC.