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關(guān)于測試二極管伏安特性實(shí)驗(yàn)電路的探析

摘要:指出了測試二極管伏安特性的實(shí)驗(yàn)電路存在的問題,提出了改進(jìn)的電路和實(shí)驗(yàn)方法。
論文關(guān)鍵詞:測試,特性,實(shí)驗(yàn),改進(jìn)
  文獻(xiàn)[3]又指出了圖2電路的兩個(gè)缺點(diǎn):一是調(diào)節(jié)過程中電流表會(huì)反向偏轉(zhuǎn),易使表頭損壞;二是調(diào)節(jié)平衡仍較為困難。并將圖2電路改進(jìn)如圖3所示的電路。
  改進(jìn)實(shí)驗(yàn)
  筆者經(jīng)實(shí)驗(yàn)測試認(rèn)為,文獻(xiàn)[2]對于文獻(xiàn)[1]的問題的分析和文獻(xiàn)[3]對于文獻(xiàn)[2]的缺點(diǎn)的分析都基本正確。但是,改進(jìn)后的圖3電路仍然無法測量二極管的正向起始段的伏安特性。現(xiàn)具體分析如下:
  文獻(xiàn)[3]指出:“圖3所示電橋的平衡條件為
 。≧0+RA)實(shí)驗(yàn)= 測試RP
  當(dāng)電壓表指示值小于二極管的閾值電壓時(shí),RP很大,這時(shí)可調(diào)節(jié)R1至很小,這樣可使上式右端的乘
  改進(jìn)特性
  積較小,從而通過調(diào)節(jié)R0便很容易使上式成立。如果實(shí)驗(yàn)室用的是可調(diào)電源,只要開始時(shí)R1,R‘2,R“2選得合適,例如對硅管使電壓表的示數(shù)為0.1V,以后只需調(diào)節(jié)電源的輸出電壓即可很容易地得到0.2V、0.3V、0.4V、0.5V、0.6V等電壓下二極管的電流值。如果電源電壓不是連續(xù)可調(diào),則可以通過調(diào)節(jié)R2及電源電壓來獲得這些電壓值。”
  事實(shí)上,圖3的電路是無法使電壓表示數(shù)調(diào)到0.1V、0.2V、0.3V…等電壓值的。因?yàn)槟壳皩W(xué)校實(shí)驗(yàn)室的實(shí)用可調(diào)穩(wěn)壓電源的最低輸出電壓也在1.2V以上,由圖3的電橋平衡條件可得到 :
  改進(jìn)實(shí)驗(yàn) = 實(shí)驗(yàn)
  在閾值電壓以下時(shí),RP在105Ω數(shù)量級,實(shí)驗(yàn)室里可選用的電阻箱R0規(guī)格最大也在105Ω級別。根據(jù)串聯(lián)分壓原理,電源電壓為(≥1.2V)某一定值,支路RP的分壓將和R0差不多,不會(huì)小于R0上的電壓。在調(diào)小R1時(shí),R1兩端的電壓將變小,則電壓表(內(nèi)阻RV一定)的示數(shù)將變大,電橋平衡時(shí)是這樣,電橋不平衡時(shí)也是這樣。即使把可調(diào)穩(wěn)壓電源的輸出電壓調(diào)到最低值,即E=1.2V,也不可能用調(diào)小R1的方法使電壓表的示數(shù)在二極管的閾值電壓以下。如果使用的不是輸出電壓連續(xù)可調(diào)的電源,那么,電源電壓值必將更大,那就更調(diào)不到0.5V以下了。文獻(xiàn)[3]說“可以通過調(diào)節(jié)R2和電源電壓來獲得這些電壓值”,實(shí)際上,電壓表的讀數(shù)由電源E和電壓表支路的分壓情況決定,與電橋是否平衡關(guān)系不大,因此,無論怎樣調(diào)整R2或調(diào)整電源電壓(因?yàn)殡娫措妷嚎偞笥?.2V),也不可能在既使電橋平衡又同時(shí)使電壓表的示數(shù)在二極管的閾值電壓以下。所以,圖3所示的電路同樣不能測試二極管起始段的特性曲線。
  筆者將圖3改進(jìn)為圖4所示的電路,可以測試二極管的正向起始段特性。電源E選用一節(jié)干電池或輸出電壓范圍為1.5V左右的直流穩(wěn)壓電源,變阻器 R取規(guī)格為50Ω/1A的滑動(dòng)變阻器,滑動(dòng)頭的初始位置在最下面,從0V開始調(diào)節(jié)輸出電壓U,即可根據(jù)需要選取一系列電壓值,例如可測出使電壓表示數(shù)為0.05V、 0.10V、0.15V、0.20V、0.25V…等等所需電壓值,調(diào)節(jié)電橋平衡測得對應(yīng)的電流值,或者調(diào)節(jié)R和R0測出電流為0μA、1μA、5μA、15μA、20μA、25μA、30μA…等等(電橋平衡時(shí))與其電流值對應(yīng)時(shí)的電壓值,下表是筆者測得一普通硅整流管的正向起始段、導(dǎo)通段的數(shù)據(jù)。
  硅整流二極管1N5408的正向特性測試數(shù)據(jù):
  ID(μA)
  0.00
  0.00
  1.00
  5.00
  10.00
  15.00
  20.00
  30.00
  40.00
  50.0
  100.0
  150.0
  UD(mV)
  100.1
  200.1
  261.2
  317.3
  340.2
  353.2
  364.3
  377.4
  386.3
  393.2
  416.3
  430.3
  ID(mA)
  0.20
  0.30
  0.50
  0.750
  1.00
  2.00
  3.50
  5.00
  10.00
  20.00
  35.00
  50.00
  UD(mV)
  443.1
  457.2
  475.2
  492.3
  508.4
  533.3
  552.5
  580.4
  611.5
  645.3
  668.0
  686.3
  注:室溫25攝氏度時(shí),用0.5級μA、mA表和4位半數(shù)字電壓表(直流2V檔精度優(yōu)于0.5級),按圖4電路測試。
  對于二極管的反向特性,也不能以為簡單地把二極管的極性倒接就可以順利地測試了。首先,電源應(yīng)當(dāng)更換為可調(diào)直流電源,其最大輸出電壓值要大于二極管的反向擊穿電壓,或者選用大于二極管擊穿電壓值的固定直流電源,將R換為大阻值(功率PR>U2/R,I額定>U/R)的電位器,R2的規(guī)格也要重新選擇。實(shí)用電路及其參數(shù)如圖5所示。由于硅二極管反向電流在0.01μA ~0.1μA,反向電阻數(shù)十兆歐以上,微安表的內(nèi)阻(數(shù)千歐姆)與之相比較完全可以忽略而不影響測量精度,所以用圖6 測試(圖中電壓表應(yīng)當(dāng)選用
  實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)
  三位半或四位半數(shù)字電壓表,如UT2003型)反向特性要比電橋式電路要方便得多,在反向擊穿段,只要將電壓表讀數(shù)減去表頭壓降IRA進(jìn)行修正,其數(shù)據(jù)也就和橋式測試電路基本等精度。因此,二極管特性的測試電路應(yīng)當(dāng)是正向、反向分別采用不同的實(shí)驗(yàn)電路,才能測出比較準(zhǔn)確的數(shù)據(jù),繪出正確的伏安特性曲線。

參考文獻(xiàn):
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[2] 唐恒陽. 改進(jìn)的測二極管伏安特性的電路[J]. 大學(xué)物理,2000,19(8):31~32
[3] 邵建新. 二極管伏安特性曲線測試電路的改進(jìn)[J]. 物理實(shí)驗(yàn),2000,22(3):42-43

關(guān)鍵字:其它,北京
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